نوع مقاله : مقاله پژوهشی

نویسندگان

1 دانشگاه اراک

2 دانشگاه اراک دانشکده علوم گروه فیزیک

چکیده

در این پژوهش با تلفیق کارهای تجربی انجام شده با استفاده از از یک برنامه شبیه سازی یک بعدی برای شبیه ساز ظرفیت سلول خورشیدی استفاده کردیم. شبیه سازی را می‌توان برای نشان دادن اثرات واقعی یک پدیده روی موضوع هدف، تحت شرایط کنترل شده و قانونمند به کار برددر اینجا، سلول خورشیدی لایه نازک مبتنی بر CdTe تحت طیفghobal AM 1.5 با استفاده از نرم افزار Solar Cell Capacitance Simulator-1D (SCAPS-1D) مورد بررسی قرار گرفته است. در ابتدا، سلول های خورشیدی با نانوساختار FTO/TiO2/n-CdSe/p-CdTe به عنوان سلول های ابتدایی و FTO/TiO2/n-CdSe/p-CdSe1_xTex/p-CdTe به عنوان سلول های ارتقا یافته در نظر گرفته شدند. هدف از این مطالعه بررسی نقش کلیدی لایه CdSexTe1-x بود. نتایج آنالیزها نشان داد که حضور لایه نانوساختار CdSexTe1-x بین لایه جاذب CdTe نوع p و لایه CdSe نوع n، PCE را از% 05/14 به% 98/21 ، JSC از mA/cm 2 42 /20 تا mA/cm2 06/26 ، FF از 73%/54 تا% 69/57 و VOC را از V25 /1 تا V46/1 نسبت به سلول ابتدایی افزایش داد.

کلیدواژه‌ها

عنوان مقاله [English]

Design and numerical modeling of CdTe nanostructured thin film solar cell and the effect of CdSeXTe1-X intermediate layer on the efficiency enhancement by SCAPS-1D software

نویسندگان [English]

  • Saeedeh souri 1
  • Maziar Marandi 2

1 Arak univrsity

2 Arak university

چکیده [English]

In this study, we combined the experimental work performed using a one-dimensional simulation program to simulate the capacity of a solar cell. Simulation can be used to show the real effects of a phenomenon on the target subject, under controlled and regulated conditions.In this here, CdTe based thin film solar cell has been investigated under AM 1.5 ghobal spectrum with using Solar Cell Capacitance Simulator-1D (SCAPS-1D) software. Initially, solar cells with nanostructured FTO/TiO2/n-CdSe/p-CdTe were considered as the elementary cells and FTO/ TiO2/n-CdSe/p- CdSe1_xTex/p-CdTe as the upgraded cells. The purpose of this study was to investigate the key role of layer CdSe xTe 1-x. The results of the analyzes showed that the presence of CdSe xTe1- x nanostructured layer, between p- type CdTe absorber layer and n- type CdSe layer increased PCE from 14.05% to 21.98%, JSC from 20.42. mA/ cm2 to 26.06 mA/cm2, FF from 54.73% to 57.69% and VOC from 1.25 V to 1.46 V compared to the elementary cell.

کلیدواژه‌ها [English]

  • Thin film
  • numerical modeling
  • SCAPS-1D
  • CdSexTe1- x