مقالات آماده انتشار، پذیرفته شده، انتشار آنلاین از تاریخ 04 بهمن 1401
چکیده
در این پژوهش با تلفیق کارهای تجربی انجام شده با استفاده از از یک برنامه شبیه سازی یک بعدی برای شبیه ساز ظرفیت سلول خورشیدی استفاده کردیم. شبیه سازی را می‌توان برای نشان دادن اثرات واقعی یک پدیده روی موضوع هدف، تحت شرایط کنترل شده و قانونمند به کار برددر اینجا، سلول خورشیدی لایه نازک مبتنی بر CdTe تحت طیفghobal AM 1.5 با استفاده از نرم افزار ...
بیشتر
در این پژوهش با تلفیق کارهای تجربی انجام شده با استفاده از از یک برنامه شبیه سازی یک بعدی برای شبیه ساز ظرفیت سلول خورشیدی استفاده کردیم. شبیه سازی را می‌توان برای نشان دادن اثرات واقعی یک پدیده روی موضوع هدف، تحت شرایط کنترل شده و قانونمند به کار برددر اینجا، سلول خورشیدی لایه نازک مبتنی بر CdTe تحت طیفghobal AM 1.5 با استفاده از نرم افزار Solar Cell Capacitance Simulator-1D (SCAPS-1D) مورد بررسی قرار گرفته است. در ابتدا، سلول های خورشیدی با نانوساختار FTO/TiO2/n-CdSe/p-CdTe به عنوان سلول های ابتدایی و FTO/TiO2/n-CdSe/p-CdSe1_xTex/p-CdTe به عنوان سلول های ارتقا یافته در نظر گرفته شدند. هدف از این مطالعه بررسی نقش کلیدی لایه CdSexTe1-x بود. نتایج آنالیزها نشان داد که حضور لایه نانوساختار CdSexTe1-x بین لایه جاذب CdTe نوع p و لایه CdSe نوع n، PCE را از% 05/14 به% 98/21 ، JSC از mA/cm 2 42 /20 تا mA/cm2 06/26 ، FF از 73%/54 تا% 69/57 و VOC را از V25 /1 تا V46/1 نسبت به سلول ابتدایی افزایش داد.
